三星宣布大规模生产第五代V-NAND闪存芯片2018-07-12 14:04:59


[全球网络技术综合报道]据国外媒体报道,7月10日,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始批量生产其第五代V-NAND闪存芯片三星的第五代V-NAND内存芯片是业界第一款使用Toggle DDR4.0接口的芯片该接口被称为数据传输的高速公路,可以​​在存储之间传输高达1.4 Gbps的速度与上一代相比,后者将存储的传输速度提高了40%此外,新的V-NAND数据写入速度仅延迟500微秒,与上一代相比提高了30%,并且读取信号时间已缩短至50微秒值得一提的是,新的96层V-NAND闪存芯片也更节能,电压从1.8V降至1.2V为了实现上述所有改进,新一代V-NAND配备了90层3D TLC闪存单元它们堆叠成金字塔形结构,中间有小孔这些孔径用作通道,宽度仅为几百微米,包含超过850亿个闪存单元,每个单元存储多达3位数据,单个芯片容量为256Gb(32GB)该制造方法包括许多先进技术,如电路设计,新工艺技术等三星没有详细说明,但该公司表示,V-NAND的改进使其生产效率提高了30%以上 (实习编译:郑婷婷评论:李宗泽)[全球网络技术报道]据国外媒体报道,7月10日,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始量产第五代V- NAND闪存芯片三星的第五代V-NAND内存芯片是业界第一款使用Toggle DDR4.0接口的芯片该接口被称为数据传输的高速公路,可以​​在存储之间传输高达1.4 Gbps的速度与上一代相比,后者将存储的传输速度提高了40%此外,新的V-NAND数据写入速度仅延迟500微秒,与上一代相比提高了30%,并且读取信号时间已缩短至50微秒值得一提的是,新的96层V-NAND闪存芯片也更节能,电压从1.8V降至1.2V为了实现上述所有改进,新一代V-NAND配备了90层3D TLC闪存单元它们堆叠成金字塔形结构,中间有小孔这些孔径用作通道,宽度仅为几百微米,包含超过850亿个闪存单元,每个单元存储多达3位数据,单个芯片容量为256Gb(32GB)该制造方法包括许多先进技术,如电路设计,新工艺技术等三星没有详细说明,但该公司表示,V-NAND的改进使其生产效率提高了30%以上 (实习编纂:郑婷婷评论:
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